CeO2 (پروژه ساختار سرامیك)

1. بدلیل توسعه و پیشرفت مدارهای مجتمع ابررسانا، High-T، اتصالات ابررسانای josephson به شكل گسترده‌ای مورد بررسی و آزمایش واقع شدند. به منظور بدست آوردن اتصالات josephson قابل كنترل و قابل دستیابی به انواع مختلف اتصالات مانند محدوده دارای لبه پله‌ای، SNS یا اساس و پایه bicrystaf استفاده شد. بهرحال این نوع مرزها معمولاً طی زمان ساخت با فرآیندهای بسیار زیادی درگیر هستند. برای ساده‌تر كردن فرآیند ساخت، اتصالات josephson محدوده دانه Biepitaxid مورد بررسی واقع شد. در این كار، CeCo2 انتخاب شد تا یك لایه برای محدوده ذره   Biepitaxid باشد و روش ساده و شیمیایی حكاكی بجای فرزكاری آهن استفاده شد تا باعث جدا شدن نیمی از لایه CeCo2 از پایه Mgo شود.

SQUIDs و اتصالات josephson  Biepitaxid را ساختیم. بعضی از ویژگی‌های جریان ولتاژ برای اتصالات josephson وSQUIDs مورد بررسی واقع شد. همچنین نوسان ولتاژ تقسیم شده در میدان مغناطیسی برای SQUIDs نیز بررسی شد.

2- شرح تجربی و آزمایشی: یك سیستم آبكاری فلز مغناطیسی rf خارج از محور برای جدا كردن تمام لایه‌ها در این مبحث استفاده شده است. CeCo2 در دمای ^OC750 برروی سطح Mgo كه با یك لایه (yBCo)800 A-thick  پوشیده شده، آبكاری شد. سپس لایه yBCo /  CeCo2 با استفاده از اسید هیدروكلریك جدا شد. بعد از آن، این پایه و اساس در دمای^OC1100 به مدت 10 ساعت تابكاری شد. برای بررسی تغییرات سطح CeCo2، ساختار سطحی لایه‌های CeCo2 تابكاری شده و تابكاری نشده با میكروسكوپ‌های (AFM) بررسی شدند و سپس یك لایه (yBCo)2000 A-thick   برروی سطح تابكاری شده قرار داده شد، رسوب‌گذاری شده بعلاوه لایه نازك yBCo با یك محدوده یا مرز Biepitaxid توسط فتولیتوگرافی در یك اتصال josephson با 5pm پهنا یا SQUIDs با یك ناحیه سوراخ  40*20 و پهنای اتصال  بصورت طرح و نقش قرار داده شد. برای بررسی واكنش‌های میكرو ویوی اتصال، یك میكرو ویو با استفاده از آنتن دیود به این اتصال تابانده شد. برای بررسی نوسان بخش بخش میدان مغناطیسی، SQUID برروی یك سولئوئید كه دارای میدان مغناطیسی موازی با سطح SQUID بود نصف شد. یك روش معمولی چهارمرحله‌ای برای اندازه‌گیری و بخش الكتریكی استفاده شد. معیار برای جریان اصلی در این مبحث  بود